热点聚焦！台积电3纳米产能告急：苹果、高通、英伟达、AMD四大巨头抢占芯片制造新高地

台积电3纳米产能告急：苹果、高通、英伟达、AMD四大巨头抢占芯片制造新高地

上海 – 2024年6月14日 – 随着全球对高性能芯片需求的不断增长，台积电3纳米制程产能成为市场焦点。据悉，苹果、高通、英伟达和AMD四大科技巨头已纷纷预订了台积电的大量3纳米制程产能，客户排队现象预计将持续至2026年。

这一消息标志着芯片制造领域的重大变革。台积电3纳米制程是目前最先进的芯片制造工艺之一，能够显著提升芯片性能和降低功耗。对于苹果、高通、英伟达和AMD等科技巨头而言，抢占3纳米产能意味着能够率先推出更具竞争力的产品，在市场上占据领先地位。

苹果是台积电3纳米产能的最大客户之一。据报道，苹果今年的iPhone 16新机将首次搭载A18系列处理器，同时最新的笔记本自研芯片M4也将同步投入使用。这两款核心芯片均计划于第二季度在台积电进行3纳米生产。

高通则是另一家重要的客户。高通骁龙处理器一直是智能手机市场的主流芯片，而3纳米制程的骁龙处理器将能够带来更强大的性能和更长的续航能力。

英伟达和AMD则主要将3纳米制程用于生产高性能计算（HPC）芯片。随着人工智能和云计算等领域的快速发展，对HPC芯片的需求也日益旺盛。

台积电3纳米产能的紧张局面也反映出全球芯片制造业集中度不断提高的趋势。台积电是全球最大的芯片代工企业，拥有最先进的芯片制造工艺。随着3纳米制程的量产，台积电在芯片制造领域的地位将更加巩固。

业界专家预测，随着全球对高性能芯片需求的不断增长，台积电3纳米制程的总产能将持续上升。据估计，月产能有望在未来提升到12万片至18万片，以满足市场对高性能芯片的迫切需求。

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高带宽存储器HBM概念股强势拉升 壹石通涨幅居前

北京 - 6月13日，高带宽存储器HBM概念板块在A股市场强势拉升，截至收盘，高带宽存储器HBM概念指数涨幅达2.04%，报801.810点。个股方面，壹石通涨幅居前，达5.20%，华海诚科、国芯科技、雅克科技涨幅也均超过3%。

资金方面，当日高带宽存储器HBM概念板块主力资金净流入为-1.18亿元，其中雅克科技受到资金热捧，主力净流入4292.25万元。

HBM（High Bandwidth Memory）即高带宽存储器，是一种新型存储器，具有高带宽、低功耗、小体积等特点，被业界视为下一代存储器技术的突破。近年来，随着人工智能、5G、大数据等领域的发展，对高带宽存储器HBM的需求快速增长，市场规模不断扩大。

本次HBM概念板块的强势拉升，主要有以下几个原因：

• **政策利好。**近期，国家出台了一系列支持集成电路产业发展的政策，为HBM产业的发展提供了良好的政策环境。
• **技术突破。**随着技术的不断进步，HBM的生产成本有所下降，性能也得到了进一步提升，使其在更多领域得到应用。
• **市场需求增长。**人工智能、5G、大数据等领域的发展，对高带宽存储器HBM的需求快速增长，为HBM产业的发展提供了广阔的空间。

从市场趋势来看，HBM市场预计将保持快速增长。据市场研究机构预测，2024年全球HBM市场规模将达到200亿美元，同比增长超过30%。

有分析人士认为，HBM概念板块仍处于起步阶段，未来发展潜力巨大，值得投资者关注。

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